BSP373 E6327
מספר מוצר של יצרן:

BSP373 E6327

Product Overview

יצרן:

Infineon Technologies

DiGi Electronics מספר חלק:

BSP373 E6327-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223-4
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 1.7A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4

מלאי:

12800525
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

BSP373 E6327 מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
SIPMOS®
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
1.7A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
300mOhm @ 1.7A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 1mA
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
550 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
1.8W (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-SOT223-4
חבילה / מארז
TO-261-4, TO-261AA

דף נתונים ומסמכים

גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML

מידע נוסף

שמות אחרים
BSP373E6327
SP000011121
BSP373 E6327-DG
BSP373E6327T
חבילה סטנדרטית
1,000

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
RoHS non-compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

מודלים חלופיים

מספר חלק
STN2NF10
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
7551
DiGi מספר חלק
STN2NF10-DG
מחיר ליחידה
0.41
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
infineon-technologies

IPD26N06S2L35ATMA2

MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31

infineon-technologies

IPB80N06S3L-06

MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

infineon-technologies

IPD50N06S409ATMA2

MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31

infineon-technologies

IPI120N08S403AKSA1

MOSFET N-CH 80V 120A TO262-3